是芯片进口国，而价格也的，年进口额高达千亿美元规模，所以如今很多都会购买华为的设备，当前芯片自给率仅20%左右，让华为帮助他们构建5G网络。但是澳利亚对于华为的技术一直都是不屑一顾的，这意味着80%芯片都依赖于国外进口。
制造芯片除了必须拥有光刻机和蚀刻机等关键设备外，后来因为美国的打压，还要拥有光刻胶、砷化镓以及锑化铟等核心材料，他们更加拒绝使用华为的设备，这些材料也对芯片制造品质起到了决定性作用。
其中，而且他们宣布将投资2450亿来自主创建5G网络，砷化镓常备应用于光通信系统，其实自主研究是完全没有问题的，在过去的几十年里，但是他们却声称宁愿两千多亿打水漂，在这方面起步晚，也坚决拒绝华为，专利少，这样的态度就有失国风范了。但是自主构建5G网络并不是简单容易的事情，存在一定的角色缺位，在砷化镓研发以及产量上，都不是欧美日企业的对手。
总而言之，在发展第2代半导体材料砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)、三元化合物半导体以及固溶体半导体等方面，错过了全球产业的鼎盛期。
为了避开在短板领域的竞争，于是选择发展第3代半导体材料，从半导体材料来看，第三代半导体材料显然更比二代半导体材料优异，进一步缩减了中企和欧美企业之间的差距，第三代半导体也被业内人士寄予厚望，半导体产业有望借此弯道超车。
当前正主力攻克第三代半导体的核心材料主要是氮化镓GaN、氧化氢、金刚石等，而在这些材料方面，我国与欧美日本的技术差距相对较小，在这一领域的专利量占全球的23%。
谈及第三代半导体就不得不提到GaN功率芯片，很多人对于这个芯片都很陌生，简单的来说，GaN功率芯片就是第三代半导体芯片。根据达摩院预测，未来以氮化镓以及碳化硅为原材料的GaN功率芯片，将迎来井喷式应用爆发。
氮化镓GaN，可以让器件高电压、高温度下，保持正常运行，将被广泛应用于新能源汽车、特高压等场景之中。而广泛应用于基站的则是GaN功率放器芯片，这种芯片还能应用于无线连接之中。
当前在国内基站中，有30%左右的基站，采用的GaN功率放器芯片，不过随着5G基站开展如火如荼，未来GaN功率放器芯片将在基站应用占比高达50%，并且在5G专用基站中，占比将会超过80%。
在基站应用中如此受欢迎，GaN功率放器芯片自有“过人之处”，除了能够有效节能外，还能最限度放信号，可以令无线信号转换效率提升，与此同时还能缩减子系统尺寸以及重量，方便后期维护以及，有效节成本。
5G时代的到来，让所有设备都能实现互联，因此这种节能高效的GaN功率放器芯片，未来的使用场景超乎想象，基本所有5G基站都离不开它，毕竟5G信号放，对于设备上网通信起到了重要作用。
值得一提的是，以前GaN功率放器芯片，全依赖于进口，直到2017年，国内才成功建成首条GaN功率放器芯片生产线。此后，企业频频在GaN功率放器芯片方面出来捷报，无论是在相关专利技术，还是在量产规模，发展速度均是一日千里。
去年至今，国内氮化镓IC快充充电器随着小米、华为和OPPO的推出，已经在全球掀起了消费热潮，与此同时国产氮化镓IC芯片也放异彩。
苏州美思迪赛半导体技术公司，成功研发出国内首款氮化镓快充主控+栅极驱动器SOC芯片MX6535，至此打破了国内没有氮化镓控制IC和驱动IC的面；珠海英诺赛科的 INN650D02型号氮化镓IC充电方案，被品胜、红魔手机、尚巡、魅族、努比亚等多个手机和充电器制造商所采用，功率可达到65瓦和120瓦。
而且经过测试发现，国产氮化镓快充方案可将充电转换效率提升到90%以上，而一般普通的充电器转换效率只有80%左右。
如今，南芯半导体、英诺赛科、美思迪赛、必易微均已经推出了氮化镓IC芯片产品，打破了美国TI和安森美长年在氮化镓驱动及控制器领域的垄断。
国产的氮化钾快充充电器，如今还迅速打入了欧美市场，相比过去，提升了我国充电器的技术含金量，以及在国际市场的竞争力。
氮化镓IC进入手机快充市场，而且逐渐成为市场主流，很显然氮化镓这一第3代材料已经被我国抢占了发展先机，进入全球第一阵列。
总之，在第3代材料方面，虽然跟欧美比，我国产业化仍然相对不足，但是我国有着广阔的应用场景，因此发展的信心相对较强。
比如我国有全球最的半导体照明产业，有全世界规模最的5g通讯网络，还有全世界增速最快的新能源汽车市场，以及全球最的手机市场，乃至飞速发展的军工产业，这市场在未来10年的市场竞争中，离不开第3代半导体材料和器件的技术。
